先進的工藝能力已用于實現(xiàn)：這種高性能設(shè)備。結(jié)合NPN和PNP SOT23-6封裝中的晶體管提供了緊湊型ZXTC2063E6TA 來自二極管的GP BJT將Zetex轉(zhuǎn)換成電子電路，用作電流或電壓控制開關(guān)或放大器。這種雙極結(jié)型晶體管“最大發(fā)射極基極電壓為7V。其最大功耗為1700 mW。為了保證安全交貨，并允許在交貨后快速安裝該組件，在運輸過程中，它將被封閉在磁帶和卷軸包裝。這種雙極結(jié)型晶體管的最低工作溫度為—55℃，最高可達150℃。它有一個最大的集電極發(fā)射極電壓為40 V和最大發(fā)射極基極電壓7 V。

Mouser編號：522-ZXTC2063E6TA

制造商編號：ZXTC2063E6TA

制造商：Diodes Incorporated

說明：雙極晶體管 - 雙極結(jié)型晶體管(BJT) 40V 1A Medium Power TRANSISTOR

制造商: Diodes Incorporated  

產(chǎn)品種類: 雙極晶體管 - 雙極結(jié)型晶體管(BJT)  

安裝風格: SMD/SMT  

封裝 / 箱體: SOT-26-6  

晶體管極性: NPN, PNP  

配置: Dual  

集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO: 40 V  

集電極—基極電壓 VCBO: 130 V, 45 V  

發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 7 V  

集電極—射極飽和電壓: 135 mV, 175 mV  

最大直流電集電極電流: 3.5 A, 3 A  

Pd-功率耗散: 1.7 W  

增益帶寬產(chǎn)品fT: 190 MHz, 270 MHz  

最小工作溫度: - 55 C  

最大工作溫度: + 150 C  

系列: ZXTC2063  

封裝: Reel  

封裝: Cut Tape  

封裝: MouseReel  

商標: Diodes Incorporated  

直流集電極/Base Gain hfe Min: 300 at 10 mA, 2 V at NPN, 280 at 1 A, 2 V at NPN, 40 at 3.5 A, 2 V at NPN, 300 at 10 mA, 2 V at PNP, 200 at 1 A, 2 V at PNP, 20 at 3 A, 2 V at PNP  

直流電流增益 hFE 最大值: 300 at 10 mA, 2 V  

高度: 1.3 mm  

長度: 3.1 mm  

產(chǎn)品類型: BJTs - Bipolar Transistors  

工廠包裝數(shù)量: 3000  

子類別: Transistors  

技術(shù): Si  

寬度: 1.8 mm  

單位重量: 15 mg 

特征

NPN-PNP組合

極低的飽和電壓

高增益

SOT23-6封裝

應用

MOSFE和IGBT柵極驅(qū)動

電機驅(qū)動