描述:

英飛凌的新邏輯級(jí)OptiMOS?5功率mosfet非常適合無線充電、適配器和電信應(yīng)用。

新器件的低柵電荷(Q g)降低了開關(guān)損耗而不影響傳導(dǎo)損耗。改進(jìn)的性能值允許在高開關(guān)頻率下操作。

此外，邏輯電平驅(qū)動(dòng)提供了一個(gè)較低的門閾值電壓(V GS(th))，允許mosfet在5V下直接由微控制器驅(qū)動(dòng)。

參數(shù)

Mouser編號(hào)：863-NSR05T40XV2T5G

Mouser編號(hào)：726-BSZ040N06LS5ATMA

制造商編號(hào)：BSZ040N06LS5ATMA1

制造商：Infineon Technologies

說明：MOSFET MV POWER MOS

制造商: Infineon  

產(chǎn)品種類: MOSFET 

技術(shù): Si  

安裝風(fēng)格: SMD/SMT  

封裝 / 箱體: TSDSON-8  

晶體管極性: N-Channel  

通道數(shù)量: 1 Channel  

Vds-漏源極擊穿電壓: 60 V  

Id-連續(xù)漏極電流: 40 A  

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 4.4 mOhms  

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V  

Vgs th-柵源極閾值電壓: 1.7 V  

Qg-柵極電荷: 18 nC  

最小工作溫度: - 55 C  

最大工作溫度: + 150 C  

Pd-功率耗散: 69 W  

通道模式: Enhancement  

封裝: Reel  

封裝: Cut Tape  

封裝: MouseReel  

商標(biāo): Infineon Technologies  

配置: Single  

下降時(shí)間: 4.8 ns  

正向跨導(dǎo) - 最小值: 32 S  

高度: 1.1 mm  

長度: 3.3 mm  

產(chǎn)品類型: MOSFET  

上升時(shí)間: 4.6 ns  

工廠包裝數(shù)量: 5000  

子類別: MOSFETs  

晶體管類型: 1 N-Channel  

典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 25.6 ns  

典型接通延遲時(shí)間: 8.5 ns  

寬度: 3.3 mm  

零件號(hào)別名: BSZ040N06LS5 SP001385578  

單位重量: 38.760 mg 

特性:

?針對(duì)高性能SMPS進(jìn)行優(yōu)化，例如同步。矩形。

?100%雪崩測(cè)試

?優(yōu)越的熱阻n通道

?根據(jù)JEDEC標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行認(rèn)證)

?無鉛電鍍;通過無鉛認(rèn)證

?根據(jù)IEC61249-2-21無鹵

特點(diǎn)總結(jié):

--小包裝低R DS(on)。

--門費(fèi)低。

--較低的輸出電荷。

--邏輯級(jí)別兼容性。

好處:

--更高的功率密度設(shè)計(jì)。

--更高的開關(guān)頻率。

--減少零件計(jì)數(shù)，只要5V電源可用。

--直接由微控制器驅(qū)動(dòng)(慢切換)。

--降低系統(tǒng)成本。